핵심 와이드 밴드갭 반도체 소재인 갈륨 질화물은 2026년 내내 전력 장치 및 RF 칩의 용량이 급속히 확장되었습니다. 단결정 실리콘 웨이퍼와 달리 GaN 기판은 8.5~9.0 사이의 모스 경도에 도달하며 안정적인 화학적 결합 에너지를 특징으로 하며 이는 기존의 화학 기계적 평탄화 공정에 특별한 어려움을 가져옵니다. 일반적인 실리콘용 범용 폴리우레탄 CMP 패드는 GaN 처리 요구 사항을 충족할 수 없으며 재료 매칭은 대량 생산 수율을 제한하는 주요 병목 현상 중 하나가 되었습니다.
실제 팹 운영 피드백에서 부적절하게 일치하는 패드 공식은 두 가지 일반적인 결함을 쉽게 유발합니다. 재료 제거 속도가 부족하여 처리량이 낮아지거나 과도한 기계적 마모로 인해 GaN 웨이퍼 표면에 미세 스크래치 및 표면 손상이 발생합니다. 에피택셜 성장 GaN-on-Si 및 GaN-on-SiC 구조의 경우 아주 작은 표면 스크래치라도 후속 장치의 전기적 성능을 직접적으로 저하시킵니다. 업계 테스트 데이터에 따르면 자격을 갖춘 GaN 전용 폴리우레탄 패드는 기공 구조, 경도 및 내화학성의 균형을 동시에 유지해야 합니다. 안정적인 슬러리 유지와 효과적인 잔여물 배출을 위해 기공 크기를 일반적으로 25μm~50μm 이내로 제어하여 장시간 연속 연마 시 기공 막힘을 방지합니다.
많은 반도체 소모품 개발자들은 현재 GaN 시나리오에 맞게 열경화성 폴리우레탄의 가교 시스템을 조정하고 있습니다. 경도 설계는 균형을 잘 맞춰야 합니다. 지나치게 단단한 패드는 긁힘을 발생시키고 지나치게 부드러운 패드는 웨이퍼 전체에 걸쳐 전역 평탄화 기능을 희생합니다. 견고한 상부 연마층과 호환되는 하위 패드를 결합한 다층 복합 구조는 점차 GaN CMP 처리를 위한 주류 솔루션이 되었습니다.
고성능 폴리우레탄 소재 개발에 대한 축적된 경험을 바탕으로 GaN 연마 특성을 목표로 베이스 폴리머 제형과 미세 발포 매개변수를 최적화합니다. 당사의 재료 솔루션은 안정적인 기공 일관성, 알칼리성 및 산성 CMP 슬러리에 대한 우수한 저항성, 낮은 입자 배출 성능에 중점을 두고 있습니다. 이는 수용 가능한 제거 효율성을 유지하면서 원자 수준의 매끄러운 GaN 표면을 얻을 수 있도록 제조 시설을 지원하여 고객이 화합물 반도체 대량 생산을 위한 프로세스 디버깅 주기를 단축할 수 있도록 돕습니다.